金絲鍵合技術(shù)作為微電子封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵互連技術(shù)，廣泛應(yīng)用于集成電路芯片與基板、基板與殼體間的電氣連接。根據(jù)鍵合方法的不同，主要分為楔形鍵合和球型鍵合兩種形式：球焊鍵合具有方向靈活、可靠性高的特點(diǎn)；楔焊鍵合則能實(shí)現(xiàn)最小拱弧且單個(gè)焊點(diǎn)占用面積小。在復(fù)雜電子系統(tǒng)中，一個(gè)模塊可能包含大量金絲互連，任何一根金絲的失效都可能導(dǎo)致整個(gè)模塊甚至系統(tǒng)故障，因此金絲鍵合質(zhì)量的嚴(yán)格控制至關(guān)重要。
金絲鍵合失效模式主要包括：線弧過長(zhǎng)引起的塌陷短路、線弧過緊導(dǎo)致的頸縮點(diǎn)斷裂、參數(shù)過大引起的焊點(diǎn)過度變形斷裂，以及參數(shù)過小導(dǎo)致的焊點(diǎn)結(jié)合不牢等問題。這些失效模式往往與鍵合工藝參數(shù)設(shè)置不當(dāng)直接相關(guān)。在實(shí)際生產(chǎn)中，超聲功率、鍵合壓力和鍵合時(shí)間等參數(shù)對(duì)金絲鍵合質(zhì)量具有決定性影響。
針對(duì)上述問題，本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將介紹如何選用25μm高純度金絲，采用科學(xué)正交試驗(yàn)方法，系統(tǒng)研究不同工藝參數(shù)對(duì)鍵合質(zhì)量的影響規(guī)律，以金絲抗拉強(qiáng)度和焊點(diǎn)形貌作為評(píng)價(jià)指標(biāo)，確定zui尤工藝參數(shù)范圍，為實(shí)際生產(chǎn)提供理論指導(dǎo)和技術(shù)支持。
一、金絲鍵合原理與標(biāo)準(zhǔn)
1、鍵合機(jī)理
金絲鍵合是通過熱、壓力和超聲能量的共同作用，在金屬表面形成原子擴(kuò)散連接的過程。當(dāng)金絲在壓力和超聲振動(dòng)作用下與焊盤接觸時(shí)，接觸面的氧化層被破壞，新鮮金屬表面暴露并發(fā)生塑性變形，在原子間作用力下形成冶金結(jié)合。這一過程主要包括以下三個(gè)階段：
物理接觸階段：金絲在壓力作用下與焊盤表面接觸，接觸面積隨壓力增加而增大；
激活階段：超聲振動(dòng)產(chǎn)生摩擦，破壞接觸面氧化層，促進(jìn)金屬間擴(kuò)散；
擴(kuò)散鍵合階段：清潔金屬表面在高溫和壓力作用下形成原子級(jí)結(jié)合。
2、評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)
本研究依據(jù)GJB548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)金絲鍵合質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定金絲鍵合的抗拉強(qiáng)度應(yīng)不低于3gf（約29.4mN）。此外，斷裂位置也是評(píng)價(jià)鍵合質(zhì)量的重要指標(biāo)：
理想斷裂：頸縮點(diǎn)斷裂，表明焊點(diǎn)結(jié)合強(qiáng)度高于金絲本身強(qiáng)度；
不良斷裂：焊點(diǎn)脫落，表明鍵合界面結(jié)合不牢固；
金絲中部斷裂：通常由機(jī)械損傷或材料缺陷引起。
二、試驗(yàn)設(shè)備與方法
1、實(shí)驗(yàn)設(shè)備
Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)
本研究采用Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)進(jìn)行金絲抗拉強(qiáng)度測(cè)試，該設(shè)備具有高精度力傳感器（分辨率0.1gf）和精確定位系統(tǒng)，可準(zhǔn)確測(cè)量金絲斷裂強(qiáng)度并記錄斷裂位置。鍵合過程使用自動(dòng)金絲鍵合機(jī)完成，設(shè)備配備高精度超聲發(fā)生系統(tǒng)和壓力控制系統(tǒng)。
2、實(shí)驗(yàn)材料
金絲材料：純度99.99%的25μm金絲
鍵合基板：鍍金2μm的介質(zhì)基板
芯片焊盤：尺寸100μm×160μm的鋁焊盤，鋁膜厚600nm
3、推刀或鉤針
4、常用工裝夾具
三、試驗(yàn)方案
采用正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)方法，研究楔焊和球焊鍵合中不同工藝參數(shù)的影響：
1、 楔焊鍵合試驗(yàn)設(shè)計(jì)
因素水平：
超聲功率：16-18W（3水平）
鍵合壓力：14-16g（3水平）
鍵合時(shí)間：60-100ms（3水平）
評(píng)價(jià)指標(biāo)：抗拉強(qiáng)度、斷裂位置、焊點(diǎn)形貌
2、球焊鍵合試驗(yàn)設(shè)計(jì)
因素水平：
超聲功率：30-35μIn（3水平）
鍵合壓力：25-33g（3水平）
鍵合時(shí)間：30-35ms（3水平）
評(píng)價(jià)指標(biāo)：抗拉強(qiáng)度、斷裂位置、焊點(diǎn)形貌
每組試驗(yàn)條件制備9個(gè)樣品，每個(gè)樣品測(cè)試5根金絲，取平均值作為該條件下的抗拉強(qiáng)度值。
3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
1）楔焊鍵合結(jié)果
a、第一焊點(diǎn)測(cè)試結(jié)果
9組試驗(yàn)的抗拉強(qiáng)度范圍為8.85-10.41gf，均顯著高于標(biāo)準(zhǔn)要求的3gf。斷裂位置均出現(xiàn)在頸縮點(diǎn)處，表明焊點(diǎn)結(jié)合質(zhì)量良好。正交分析表明：
影響因素排序：形變量 > 超聲功率 > 鍵合時(shí)間
zui尤參數(shù)：鍵合時(shí)間60ms，形變量40%，鍵合壓力20g
b、第二焊點(diǎn)測(cè)試結(jié)果
抗拉強(qiáng)度范圍為7.98-9.79gf，斷裂同樣發(fā)生在頸縮點(diǎn)處。正交分析顯示：
影響因素排序：形變量 > 超聲功率 > 鍵合壓力
zui尤參數(shù)：鍵合時(shí)間120ms，形變量40%，鍵合壓力22g
2）球焊鍵合結(jié)果
a、第一焊點(diǎn)測(cè)試結(jié)果
抗拉強(qiáng)度范圍為5.47-6.81gf，部分樣品出現(xiàn)第二焊點(diǎn)脫焊現(xiàn)象。正交分析表明：
影響因素排序：鍵合壓力 > 超聲功率 > 鍵合時(shí)間
zui尤參數(shù)：超聲功率31μIn，鍵合壓力32g，鍵合時(shí)間39ms
b、補(bǔ)球加固后結(jié)果
抗拉強(qiáng)度顯著提高至11.11-12.28gf，斷裂位置均為頸縮點(diǎn)。正交分析顯示：
影響因素排序：鍵合時(shí)間 > 超聲功率 > 鍵合壓力
zui尤補(bǔ)球參數(shù)：超聲功率34μIn，鍵合壓力38g，鍵合時(shí)間29ms
4、zui尤工藝參數(shù)驗(yàn)證
采用確定的zui尤工藝參數(shù)進(jìn)行批量驗(yàn)證，隨機(jī)抽取10根金絲測(cè)試結(jié)果顯示抗拉強(qiáng)度范圍為9.07-12.21gf，全部滿足標(biāo)準(zhǔn)要求且斷裂位置理想。鍵合一次成功率達(dá)到了100%，焊點(diǎn)形貌規(guī)整，無明顯的變形或損傷。
5、 結(jié)論
通過工藝參數(shù)優(yōu)化，金絲鍵合抗拉強(qiáng)度顯著高于標(biāo)準(zhǔn)要求，且斷裂位置理想，一次鍵合成功率可達(dá)100%，滿足批量生產(chǎn)質(zhì)量要求。
以上就是小編介紹的有關(guān)金絲鍵合可靠性分析相關(guān)內(nèi)容了，希望可以給大家?guī)韼椭∪绻€想了解更多關(guān)于鍵合絲拉力測(cè)試、金絲鍵合拉力標(biāo)準(zhǔn)、鍵合拉力測(cè)試儀和金絲鍵合拉力標(biāo)準(zhǔn)，推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解，使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書，原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻，推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻 ，焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問題，歡迎您關(guān)注我們，也可以給我們私信和留言，【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問題及解決方案。
